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X型隨機存儲器,是基于TLC DRAM(三態 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)專利技術而成的新型存儲器。不同于傳統的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下幾個技術特點:
1、數據讀取速率快于DRAM產品10倍,延時只有10ns左右;
2、容量覆蓋Megabit到Gigabit;
3、可以節省40%左右的存儲陣列功耗;
4、從用戶端不需要考慮刷新機制,可以隨時訪問。
XM6A系列產品采用DRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術,支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制,與SRAM接口應用類似,并提供BGA144和BGA96兩種封裝,容量從144Mb到36Mb,可滿足各種高速度、低延時、高可靠性的應用。 
Density PartNumber BW bit Vdd Interface Speed(MHz) Package Status PDF下載
144Mb XM8A04M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
144Mb XM8A08M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM6A02M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM8A04M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM6A01M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM8A02M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
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