近些年來SIC技術(shù)成熟，SIC MOSFET價格大幅下降，應用領(lǐng)域進一步擴大。在不久的將來，它將成為新一代流行的低損耗電力設備。在具體的工程應用、設計和開發(fā)過程中，我們經(jīng)常需要檢查SIC MOSFET分析開關(guān)特性、靜態(tài)特性和功率損耗，便于有效評估整個系統(tǒng)的效率。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時間很小？
 
短路耐受時間(tsc)這是功率半導體器件一個非常重要的參數(shù)，這就是為什么它現(xiàn)在成為一個在SiC推廣和應用中多次提到的原因。SIC的短路能力相對于先進的Si基IGBT來講是低的。SIC宣傳這么強的材料特性，為什么短路能力這么不夠？
 
IGBT短路發(fā)生時，必須在10us或者在更短的時間內(nèi)關(guān)掉IGBT，其他參數(shù)可以控制相同的短路能耗，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因為過熱而失效。SIC MOSFET原來短路能力小，根本原因也是因為熱，是因為短路前后的溫度分布不科學！


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