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事件數(shù)據(jù)記錄器EDR存儲(chǔ)芯片應(yīng)用

2023-12-18 14:13:21

    汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng) (EDR) 市場(chǎng)的發(fā)展正在推動(dòng)對(duì)專用數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)設(shè)備的需求,這些設(shè)備需要即時(shí)捕捉關(guān)鍵數(shù)據(jù)并保證數(shù)據(jù)可以可靠地存儲(chǔ)數(shù)十年。
 
    汽車 EDR 即大家常說(shuō)的“黑匣子”,主要用于記錄車輛碰撞前、碰撞時(shí)、碰撞后三個(gè)階段中汽車的關(guān)鍵運(yùn)行數(shù)據(jù)。EDR與傳統(tǒng)的捕捉錄像行車記錄儀不同,它主要記錄車輛控制的關(guān)鍵信息,包括油門踏板壓力、制動(dòng)踏板接合等細(xì)節(jié),為全面分析事件提供全面的數(shù)據(jù)集。其記錄的信息可重現(xiàn)事故過(guò)程,用于汽車事故分析。
 
    MRAM在汽車EDR中表現(xiàn)出色,該器件可捕捉碰撞前的關(guān)鍵時(shí)刻,并通過(guò)數(shù)據(jù)覆蓋實(shí)現(xiàn)無(wú)縫持續(xù)記錄。MRAM 的 “始終保持激活”的模式可即時(shí)響應(yīng)類似的碰撞事件,如速度或角動(dòng)量的突然變化也可觸發(fā)運(yùn)行記錄。這確保了連續(xù)而詳細(xì)的記錄,可無(wú)縫捕捉數(shù)據(jù),直至交通事故發(fā)生的那一刻。
 
    MRAM是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問(wèn)兩種特性,可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲(chǔ)介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍,此外,其制作工藝要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在壽命方面,由于MRAM特殊的存儲(chǔ)方式,產(chǎn)品的壽命耐久性也遠(yuǎn)超傳統(tǒng)RAM。英尚微MRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品服務(wù)及技術(shù)支持。

本文關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)芯片,MRAM
 

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